计算机硬件-存储-NVMe-SSD-PCIe-5.0性能评测
技术摘要NVMe SSD 基于 PCIe 5.0 通道，聚焦高带宽与低 Latency 的随机访问场景。通过队列深度与并发优化，NVMe 在高 IOPS 负载下保持稳定延迟；SSD 控制器缓存策略与固件调度进一步降低 Latency。与 PCIe 4.0 对比，PCIe 5.0 在吞吐与功耗曲线上的
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计算机硬件-存储-NVMe-SSD-随机IO测试方法论
技术摘要本文系统阐述 NVMe SSD 在 PCIe 5.0 平台下的随机 IO 测试方法论，包括 IOPS 与 Latency 的采集与归一化策略、队列深度与并发建模，以及控制器缓存策略对稳定性与能效的影响。目标是在统一条件下获得可复现实验结果，指导数据库与日志型工作负载的参数选择。技术参数接口/
计算机硬件-存储-NVMe-SSD性能白皮书
技术摘要面向桌面与企业的 NVMe SSD 依托 NVMe 2.0 与 PCIe 4.0 x4 提升带宽并降低访问延迟；SSD 在顺序与随机读写方面显著领先。结合 DRAM缓存、SLC缓存 与 TLC NAND 的控制器策略，在并发场景下提升吞吐与响应，能效比 表现稳定，适用于创作与数据库负载。技术
-计算机硬件-存储-Samsung-990 PRO系列性能评测-
技术摘要Samsung 990 PRO系列采用PCIe 5.0 x4接口和NVMe 2.0协议，基于第七代V-NAND闪存技术，配备三星自研控制器和2GB LPDDR4 DRAM缓存。该系列提供7450MB/s顺序读取和6900MB/s顺序写入性能，随机读写性能达1500K IOPS，支持智能SLC
计算机硬件-存储-Samsung-990 PRO性能与耐久分析
计算机硬件-存储-Samsung-990 PRO性能与耐久分析摘要（≤200字）Samsung 990 PRO 为高端 NVMe SSD，基于 PCIe 4.0 接口，搭载 DRAM缓存 与 TLC NAND，并通过 SLC缓存 提升突发写入性能。官方 TBW 指标全面覆盖主流容量段，配合定制 控制
计算机硬件-存储-Samsung-990 PRO性能评测
技术摘要Samsung 990 PRO 作为 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD，结合 DRAM缓存 与高效控制器，提供优异顺序与 4K随机性能；在 TBW 与温控策略配合下，实现性能与耐久度的平衡，适合创作、游戏与工作站存储加速。技术参数兼容性：M.2 2280；接口：PCIe 4.0 x4
